Hochschulschrift

Untersuchung des Einflusses der Wachstumsparameter der metallorganischen Gasphasenepitaxie auf das Relaxationsverhalten von GaAs/InxGa1-xAs/GaAs-Quantengräben

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
III, 122 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Potsdam, Univ., Diss., 1998

Schlagwort
Galliumarsenid
Indiumarsenid
Mischkristall
Quantenwell
MOCVD-Verfahren

Urheber
Zeimer, Ute

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:12 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Zeimer, Ute

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