Hochschulschrift
Untersuchung des Einflusses der Wachstumsparameter der metallorganischen Gasphasenepitaxie auf das Relaxationsverhalten von GaAs/InxGa1-xAs/GaAs-Quantengräben
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
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21 cm
- Umfang
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III, 122 S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Potsdam, Univ., Diss., 1998
- Schlagwort
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Galliumarsenid
Indiumarsenid
Mischkristall
Quantenwell
MOCVD-Verfahren
- Urheber
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Zeimer, Ute
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 14:12 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Zeimer, Ute