Hochschulschrift
Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783844043723
3844043721
- Dimensions
-
21 cm, 402 g
- Extent
-
iv, 248 Seiten
- Edition
-
[1. Auflage]
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2016
- Bibliographic citation
-
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Band 2016,1
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
Leistungstransistor
MOS-FET
MOS
Trench
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
Wide-bandgap Halbleiter
Wafer
Nachbehandlung
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Aachen
- (who)
-
Shaker Verlag
- (when)
-
2016
- Creator
- Contributor
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 2:00 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Banzhaf, Christian Tobias
- Shaker Verlag
- Shaker Verlag
Time of origin
- 2016
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