Multi-staged deposition of trench-gate oxides for power MOSFETs

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Journal of Vacuum Science & Technology (JVST) : an AVS journal#B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena, Erscheinungsjahr: 2019, Jahrgang: 37, Heft: 3, Seiten: 032202-1-032202-4, E-ISSN: 2166-2746

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2022
Urheber
Neuber, Markus
Storbeck, Olaf
Langner, Maik
Stahrenberg, Knut
Mikolajick, Thomas

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-811378
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:30 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Neuber, Markus
  • Storbeck, Olaf
  • Langner, Maik
  • Stahrenberg, Knut
  • Mikolajick, Thomas
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2022

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