- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783933214799
3933214793
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IX, 124 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
zahlr. graph. Darst.
Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2001
- Schlagwort
-
MOS-FET
Leistungstransistor
Dreidimensionale Integration
Drain
Durchgreifeffekt
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
München
- (wer)
-
Diss.-Verl. NG-Kopierladen
- (wann)
-
2001
- Urheber
-
Lagies, Arrasch Uwe
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:27 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Lagies, Arrasch Uwe
- Diss.-Verl. NG-Kopierladen
Entstanden
- 2001
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