Hochschulschrift

Modellierung des ladungskompensierten Leistungs-MOSFETs

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783933214799
3933214793
Dimensions
21 cm
Extent
IX, 124 S.
Language
Deutsch
Notes
zahlr. graph. Darst.
Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2001

Keyword
MOS-FET
Leistungstransistor
Dreidimensionale Integration
Drain
Durchgreifeffekt

Event
Veröffentlichung
(where)
München
(who)
Diss.-Verl. NG-Kopierladen
(when)
2001
Creator
Lagies, Arrasch Uwe

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Last update
11.03.2025, 12:27 PM CET

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Object type

  • Hochschulschrift

Associated

  • Lagies, Arrasch Uwe
  • Diss.-Verl. NG-Kopierladen

Time of origin

  • 2001

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