Hochschulschrift

Transporteigenschaften in Si1-χ Geχ-p-MOSFETs [Si1-chi Ge-chi-p-MOSFETs]

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
111 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1999

Schlagwort
MOS-FET
p-Kanal-FET
Heterostruktur-Bauelement
Silicium
Germanium
Elektronischer Transport

Urheber
Fischer, Hermann

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:50 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Fischer, Hermann

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