Ein Beitrag zur Herstellung und Charakterisierung von Galliumnitrid Trench MOSFETs auf nativen Substraten : Fabrication and characterization of gallium nitride trench MOSFETs on native substrates
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Bremen, Universität Bremen, Dissertation, 2022
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
MOS-FET
Leistungshalbleiter
Galliumnitrid
Silicium
Siliciumcarbid
Halbleitertechnologie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Bremen
- (wer)
-
Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
- (wann)
-
2022
- Urheber
-
Dannecker, Kevin
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.26092/elib/1610
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:46-elib60051
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:04 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Dannecker, Kevin
- Kaminski, Nando
- Erlbacher, Tobias
- Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
Entstanden
- 2022
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