Hochschulschrift
Zwischenschichteinfluss auf das Rauschverhalten epitaxialer GaAs-Schottky-Gate Feldeffekttransistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
VII, 179 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1982
- Keyword
-
MESFET
Feldeffekttransistor
Galliumarsenid
Rauschen
Feldeffekttransistor
Galliumarsenid
Rauschen
- Creator
-
Ahmed, Mohamed Kamel
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.03.2025, 12:05 PM CET
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Ahmed, Mohamed Kamel
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