Hochschulschrift
Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783839608975
383960897X
- Maße
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21 cm
- Umfang
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162 S.
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2013
- Erschienen in
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Science for systems ; Bd. 22
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
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HEMT
Galliumnitrid
Hochfrequenz
Degradation
Zuverlässigkeit
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Stuttgart
- (wer)
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Fraunhofer-Verl.
- (wann)
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2015
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:14 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Cäsar, Markus
- Ambacher, Oliver
- Fraunhofer IRB-Verlag
- Fraunhofer IAF, Freiburg
- Fraunhofer-Verl.
Entstanden
- 2015