Hochschulschrift

Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783839608975
383960897X
Maße
21 cm
Umfang
162 S.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2013

Erschienen in
Science for systems ; Bd. 22

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
HEMT
Galliumnitrid
Hochfrequenz
Degradation
Zuverlässigkeit

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Stuttgart
(wer)
Fraunhofer-Verl.
(wann)
2015
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Ambacher, Oliver
Fraunhofer IRB-Verlag
Fraunhofer IAF, Freiburg

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:14 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2015

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