Hochschulschrift
AlGaN,GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783839603031
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
X, 175 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2011
- Erschienen in
-
Science for systems ; No. 3
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
Feldeffekttransistor
Leistungsverstärker
MMIC
W-Band
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Stuttgart
- (wer)
-
Fraunhofer-Verl.
- (wann)
-
2011
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Ambacher, Oliver
Fraunhofer IAF, Freiburg
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
- 11.06.2025, 13:34 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Haupt, Christian
- Ambacher, Oliver
- Fraunhofer IAF, Freiburg
- Fraunhofer-Verl.
Entstanden
- 2011
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