- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783897128538
3897128535
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
II, 91 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Göttingen, Univ., Diss., 1999
- Schlagwort
-
Galliumphosphid
Indiumphosphid
Überstruktur
Stapelfehler
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:17 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Spiecker, Erdmann
- Cuvillier
Entstanden
- 2000
Ähnliche Objekte (12)
Mikro-Photolumineszenz-Spektroskopie: intrinsische Quantentöpfe in geordnetem (GaIn)P
Kapazitätstransientenspektroskopie an Fehlpassungsversetzungen in InGaAs-, GaAs-Halbleiterschichtstrukturen
Mikrowellen-Schaltverstärker in GaN- und GaAs-Technologie : Designgrundlagen und Komponenten
Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
Intermodulation distortion in GaN HEMT
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren : prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
Magnetische NiMnGa-Polymer-Komposite
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
InGaAs-Gunn-Elemente für die optische Nachrichtenübertragung
Mikro-Photolumineszenz-Spektroskopie: intrinsische Quantentöpfe in geordnetem (GaIn)P
Kapazitätstransientenspektroskopie an Fehlpassungsversetzungen in InGaAs-, GaAs-Halbleiterschichtstrukturen
Mikrowellen-Schaltverstärker in GaN- und GaAs-Technologie : Designgrundlagen und Komponenten
Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
Intermodulation distortion in GaN HEMT
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren : prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
Magnetische NiMnGa-Polymer-Komposite
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
InGaAs-Gunn-Elemente für die optische Nachrichtenübertragung
Mikro-Photolumineszenz-Spektroskopie: intrinsische Quantentöpfe in geordnetem (GaIn)P
Kapazitätstransientenspektroskopie an Fehlpassungsversetzungen in InGaAs-, GaAs-Halbleiterschichtstrukturen
Mikrowellen-Schaltverstärker in GaN- und GaAs-Technologie : Designgrundlagen und Komponenten
Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld
Intermodulation distortion in GaN HEMT
AlGaN-GaN HEMTs reliability : degradation modes and analysis
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen
AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren : prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
Magnetische NiMnGa-Polymer-Komposite
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren