Hochschulschrift
Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783869553924
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
III, 127 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 2010
- Erschienen in
-
Innovationen mit Mikrowellen und Licht ; Bd. 12
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Heterobipolartransistor
Galliumarsenid-Bauelement
Lebensdauer
Degradation
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:52 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pazirandeh, Reza
- Cuvillier
Entstanden
- 2010
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