Hochschulschrift
Siliziumkarbid (4H) : Einkristallzüchtung, Defektcharakterisierung und Auswirkungen der Defekte auf die Eigenschaften elektronischer Bauelemente
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
125 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2002
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Polytypie
Elektronisches Bauelement
Störstelle
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:05 MESZ
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Objekttyp
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