Hochschulschrift

In-situ-Charakterisierung und Ladungsträgerkinetik amorpher Halbleiter auf Silicium-Basis

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
II, 145 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Berlin, Techn. Univ., Diss., 1996

Schlagwort
Silicium
Amorpher Halbleiter
PECVD-Verfahren
Ladungsträgerbeweglichkeit

Urheber
Swiatkowski, Carsten

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Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:42 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Swiatkowski, Carsten

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