Hochschulschrift

Etching of single crystalline silicon by hydrogen plasma and silicon deposition from Si2H6 and SiH4 for low temperature silicon epitaxy

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
138 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1993

Schlagwort
Plasmaätzen
Silicium
Einkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Disilan
CVD-Verfahren
Silan

Urheber
Wang, Chunlin

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:35 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Wang, Chunlin

Ähnliche Objekte (12)