Origin of Temperature-Dependent Ferroelectricity in SiDoped HfO₂

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Advanced Electronic Materials, Erscheinungsjahr: 2018, Jahrgang: 4, Heft: 4, Seiten: 1700489-1-1700489-8, E-ISSN: 2199-160X

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2022
Urheber
Park, Min Hyuk
Chung, Ching-Chang
Schenk, Tony
Richter, Clauda
Hoffmann, Michael
Wirth, Steffen
Jones, Jacob L.
Mikolajick, Thomas
Schroeder, Uwe

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-804981
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:35 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Park, Min Hyuk
  • Chung, Ching-Chang
  • Schenk, Tony
  • Richter, Clauda
  • Hoffmann, Michael
  • Wirth, Steffen
  • Jones, Jacob L.
  • Mikolajick, Thomas
  • Schroeder, Uwe
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2022

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