Retention Characteristics of Hf₀.₅Zr₀.₅O₂-based Ferroelectric Tunnel Junctions

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
In: 2019 IEEE 11th International Memory Workshop, Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Erscheinungsort: New York, NY, Verlag: IEEE, Erscheinungsjahr: 2019

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2022
Urheber
Max, Benjamin
Mikolajick, Thomas
Hoffmann, Michael
Slesazeck, Stefan

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-775808
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:36 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Max, Benjamin
  • Mikolajick, Thomas
  • Hoffmann, Michael
  • Slesazeck, Stefan
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2022

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