Retention Characteristics of Hf₀.₅Zr₀.₅O₂-based Ferroelectric Tunnel Junctions

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch
Notes
In: 2019 IEEE 11th International Memory Workshop, Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Erscheinungsort: New York, NY, Verlag: IEEE, Erscheinungsjahr: 2019

Event
Veröffentlichung
(where)
Dresden
(who)
Technische Universität Dresden
(when)
2022
Creator
Max, Benjamin
Mikolajick, Thomas
Hoffmann, Michael
Slesazeck, Stefan

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-775808
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:36 AM CEST

Data provider

This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.

Associated

  • Max, Benjamin
  • Mikolajick, Thomas
  • Hoffmann, Michael
  • Slesazeck, Stefan
  • Technische Universität Dresden

Time of origin

  • 2022

Other Objects (12)