Hochschulschrift

Haftstellenspektroskopie mit DLTS an Defekten in Silicium

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
190 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1981

Schlagwort
Haftstellen
Silizium
Halbleiter
Haftstelle
Silicium
Halbleiter

Urheber
Lefèvre, Helmut

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:49 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Lefèvre, Helmut

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