Hochschulschrift

Charakterisierung von Defekten in Silizium nach Bestrahlung mit leichten Ionen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783853699218
3853699219
Maße
21 cm
Umfang
119 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Zugl.: Linz, Univ., Diss., 1992

Erschienen in
Dissertationen der Johannes-Kepler-Universität Linz / Johannes Kepler Universität Linz ; 103

Schlagwort
Siliciumhalbleiter
Ionenstrahl
Strahlenschaden
Tiefe Störstelle
DLTS

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Wien
(wer)
VWGÖ
(wann)
1993
Urheber
Reisinger, Johann

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:57 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Reisinger, Johann
  • VWGÖ

Entstanden

  • 1993

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