Hochschulschrift

Analyse physikalischer Eigenschaften trockenätzinduzierter Defekte in Silizium mit Rasterelektronen- und Rasterkraftmikroskopie

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783891918043
3891918046
Maße
21 cm
Umfang
130 S.
Ausgabe
1. Aufl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Konstanz, Univ., Diss., 1994

Erschienen in
Konstanzer Dissertationen ; Bd. 430

Schlagwort
CMOS
Siliciumhalbleiter
Trockenätzen
Fertigungsfehler
Störstelle
EBIC-Verfahren

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Konstanz
(wer)
Hartung-Gorre
(wann)
1994
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 11:46 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 1994

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