Anisotropic Ti x Sn1- x O2 nanostructures prepared by magnetron sputter deposition
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Anisotropic Ti x Sn1- x O2 nanostructures prepared by magnetron sputter deposition ; volume:6 ; number:1 ; day:13 ; month:4 ; year:2011 ; pages:1-5 ; date:12.2011
Nanoscale research letters ; 6, Heft 1 (13.4.2011), 1-5, 12.2011
- Urheber
-
Chen, Shutian
Li, Zhengcao
Zhang, Zhengjun
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1186/1556-276X-6-326
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2021082909473538005470
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Chen, Shutian
- Li, Zhengcao
- Zhang, Zhengjun
- SpringerLink (Online service)
Ähnliche Objekte (12)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Kernverfahrenstechnik (IKVT)
Comparison of aluminum nitride thin films prepared by magnetron sputter epitaxy in nitrogen and ammonia atmosphere
Influence of growth temperature on the properties of aluminum nitride thin films prepared by magnetron sputter epitaxy
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron sputter deposition of Ta2O5-SiO2 quantized nanolaminates
Magnetron sputter deposition of nanostructured AlN thin films
Magnetron Sputter Deposition of Amorphous Silicon–SiO 2 Quantized Nanolaminates
Oxidation Resistance of Magnetron Sputter Deposited ß-FeAl+Zr Coatings
Uranium compounds prepared by sputter deposition: UFe₂₊ₓ
Bias-plasma Assisted RF Magnetron Sputter Deposition of Hydrogen-less Amorphous Silicon
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Kernverfahrenstechnik (IKVT)
Comparison of aluminum nitride thin films prepared by magnetron sputter epitaxy in nitrogen and ammonia atmosphere
Influence of growth temperature on the properties of aluminum nitride thin films prepared by magnetron sputter epitaxy
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron sputter deposition of Ta2O5-SiO2 quantized nanolaminates
Magnetron sputter deposition of nanostructured AlN thin films
Magnetron Sputter Deposition of Amorphous Silicon–SiO 2 Quantized Nanolaminates
Oxidation Resistance of Magnetron Sputter Deposited ß-FeAl+Zr Coatings
Uranium compounds prepared by sputter deposition: UFe₂₊ₓ
Bias-plasma Assisted RF Magnetron Sputter Deposition of Hydrogen-less Amorphous Silicon
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Kernverfahrenstechnik (IKVT)
Comparison of aluminum nitride thin films prepared by magnetron sputter epitaxy in nitrogen and ammonia atmosphere
Influence of growth temperature on the properties of aluminum nitride thin films prepared by magnetron sputter epitaxy
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron-Sputter-Anlage am Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Magnetron sputter deposition of Ta2O5-SiO2 quantized nanolaminates
Magnetron sputter deposition of nanostructured AlN thin films
Magnetron Sputter Deposition of Amorphous Silicon–SiO 2 Quantized Nanolaminates
Oxidation Resistance of Magnetron Sputter Deposited ß-FeAl+Zr Coatings
Uranium compounds prepared by sputter deposition: UFe₂₊ₓ