Hochschulschrift
Analysis and development of high voltage bipolar transistors for BiCMOS smart power applications
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783896490476
3896490478
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
200 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Zürich, Eidgenössische Techn. Hochsch., Diss., 1996
- Erschienen in
-
Series in microelectronics ; Vol. 57
- Schlagwort
-
Smart-power-Bauelement
Bipolartransistor
BICMOS
Elektrischer Durchbruch
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Konstanz
- (wer)
-
Hartung-Gorre
- (wann)
-
1996
- Urheber
-
Ryter, Roland
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:08 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Ryter, Roland
- Hartung-Gorre
Entstanden
- 1996
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