Investigations on Current Filaments Limiting the Safe-Operating Area of High-Voltage Trench-Insulated-Gate Bipolar Transistors

Alternative title
Untersuchungen zum Einfluss von Stromfilamentierungen auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode
Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch
Notes
München, Technische Universität München, Dissertation, 2022

Classification
Elektrotechnik, Elektronik
Keyword
IGBT
Simulation
Hochspannungsbauelement
MOS-FET
Leistungshalbleiter
Kurzschluss

Event
Veröffentlichung
(where)
München
(who)
Universitätsbibliothek der TU München
(when)
2022
Creator
Töchterle, Christopher
Contributor
Wachutka, Gerhard
Lutz, Josef
Tornow, Marc

URN
urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220304-1577646-1-2
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
16.06.20371, 11:09 AM CEST

Data provider

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Associated

  • Töchterle, Christopher
  • Wachutka, Gerhard
  • Lutz, Josef
  • Tornow, Marc
  • Universitätsbibliothek der TU München

Time of origin

  • 2022

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