Investigations on Current Filaments Limiting the Safe-Operating Area of High-Voltage Trench-Insulated-Gate Bipolar Transistors
- Weitere Titel
-
Untersuchungen zum Einfluss von Stromfilamentierungen auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
München, Technische Universität München, Dissertation, 2022
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
IGBT
Simulation
Hochspannungsbauelement
MOS-FET
Leistungshalbleiter
Kurzschluss
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
München
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der TU München
- (wann)
-
2022
- Urheber
-
Töchterle, Christopher
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220304-1577646-1-2
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:47 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Töchterle, Christopher
- Wachutka, Gerhard
- Lutz, Josef
- Tornow, Marc
- Universitätsbibliothek der TU München
Entstanden
- 2022
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