Investigations on Current Filaments Limiting the Safe-Operating Area of High-Voltage Trench-Insulated-Gate Bipolar Transistors
- Alternative title
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Untersuchungen zum Einfluss von Stromfilamentierungen auf den sicheren Arbeitsbereich von hochvolt trench-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode
- Location
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
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Online-Ressource
- Language
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Englisch
- Notes
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München, Technische Universität München, Dissertation, 2022
- Classification
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Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
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IGBT
Simulation
Hochspannungsbauelement
MOS-FET
Leistungshalbleiter
Kurzschluss
- Event
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Veröffentlichung
- (where)
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München
- (who)
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Universitätsbibliothek der TU München
- (when)
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2022
- Creator
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Töchterle, Christopher
- Contributor
- URN
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urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220304-1577646-1-2
- Rights
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
16.06.20371, 11:09 AM CEST
Data provider
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Associated
- Töchterle, Christopher
- Wachutka, Gerhard
- Lutz, Josef
- Tornow, Marc
- Universitätsbibliothek der TU München
Time of origin
- 2022