Uniting The Trinity of Ferroelectric HfO₂ Memory Devices in a Single Memory Cell
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
In: 2019 IEEE 11th International Memory Workshop : IMW 2019, Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Erscheinungsort: New York, NY, Verlag: IEEE,Erscheinungsjahr: 2019
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
Technische Universität Dresden
- (wann)
-
2022
- Urheber
-
Slesazeck, Stefan
Havel, Viktor
Breyer, Evelyn T.
Mulaosmanovic, Halid
Hoffmann, Michael
Max, Benjamin
Duenkel, Stefan
Mikolajick, Thomas
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-776856
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:47 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Slesazeck, Stefan
- Havel, Viktor
- Breyer, Evelyn T.
- Mulaosmanovic, Halid
- Hoffmann, Michael
- Max, Benjamin
- Duenkel, Stefan
- Mikolajick, Thomas
- Technische Universität Dresden
Entstanden
- 2022
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