Hochschulschrift
Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
V, 125 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000
- Schlagwort
-
Silicium
Germanium
Kristallfläche
Bor
Schichtwachstum
MOS-FET
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:59 MESZ
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Objekttyp
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