Hochschulschrift
Ramanspektroskopische Untersuchungen zur Entstehung von verspannten GaAs-SiGe-Heterostrukturen und Si-SiGe-Übergittern
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
161 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1987
- Keyword
-
Silizium
Silizium-Germanium-Verbindungen
Halbleiter
Galliumarsenid
Silicium
Halbleiter
Galliumarsenid
- Creator
-
Brugger, Johann Georg
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:20 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Brugger, Johann Georg
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