Hochschulschrift
Ramanspektroskopische Untersuchungen zur Entstehung von verspannten GaAs-SiGe-Heterostrukturen und Si-SiGe-Übergittern
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
161 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1987
- Schlagwort
-
Silizium
Silizium-Germanium-Verbindungen
Halbleiter
Galliumarsenid
Silicium
Halbleiter
Galliumarsenid
- Urheber
-
Brugger, Johann Georg
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:20 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Brugger, Johann Georg
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