Hochschulschrift
Dichte-Funktional-Ortsraumverfahren zur Gesamtenergieberechnung in Halbleitern : Anwendungen auf Si, Ge, C, SiGe und SiC
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783895881237
3895881236
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
III, 92 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Göttingen, Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
-
Halbleiter
Grundzustand
Dichtefunktionalformalismus
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Göttingen
- (wer)
-
Cuvillier
- (wann)
-
1995
- Urheber
-
Trinczek, Uwe
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:19 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Trinczek, Uwe
- Cuvillier
Entstanden
- 1995
Ähnliche Objekte (12)
Bauelemententwicklung am Beispiel SiGe
Si/Ge intermixing during Ge Stranski–Krastanov growth
Thermal transport through SiGe superlattices
Thermal transport through SiGe superlattices
High-speed Si-Ge avalanche photodiodes
Relaxation Delay of Ge‐Rich Epitaxial SiGe Films on Si (001)
Ordering of self-assembled Ge and SiGe nanostructures on vicinal Si surfaces
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Bi surfactant mediated growth for fabrication of Si/Ge nanostructures and investigation of Si/Ge intermixing by STM
Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen
Templated self-assembly of SiGe quantum dots
Bauelemententwicklung am Beispiel SiGe
Si/Ge intermixing during Ge Stranski–Krastanov growth
Thermal transport through SiGe superlattices
Thermal transport through SiGe superlattices
High-speed Si-Ge avalanche photodiodes
Relaxation Delay of Ge‐Rich Epitaxial SiGe Films on Si (001)
Ordering of self-assembled Ge and SiGe nanostructures on vicinal Si surfaces
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Bi surfactant mediated growth for fabrication of Si/Ge nanostructures and investigation of Si/Ge intermixing by STM
Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen
Templated self-assembly of SiGe quantum dots
Bauelemententwicklung am Beispiel SiGe
Si/Ge intermixing during Ge Stranski–Krastanov growth
Thermal transport through SiGe superlattices
Thermal transport through SiGe superlattices
High-speed Si-Ge avalanche photodiodes
Relaxation Delay of Ge‐Rich Epitaxial SiGe Films on Si (001)
Ordering of self-assembled Ge and SiGe nanostructures on vicinal Si surfaces
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Physical modelling of advanced SiGe transistors
Bi surfactant mediated growth for fabrication of Si/Ge nanostructures and investigation of Si/Ge intermixing by STM
Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen