Hochschulschrift
Optische In-situ-Untersuchungen zum Quantenpunkt-Wachstum von II-VI-Halbleitern in der metallorganischen Gasphasenepitaxie
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783898203401
3898203409
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
VI, 139 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 2001
- Keyword
-
Cadmiumselenid
Quantenpunkt
MOCVD-Verfahren
Reflexionsspektroskopie
Ellipsometrie
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Berlin
- (who)
-
Mensch-und-Buch-Verl.
- (when)
-
2002
- Creator
-
Meyne, Christian
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:00 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Meyne, Christian
- Mensch-und-Buch-Verl.
Time of origin
- 2002
Other Objects (12)
Untersuchung von Grenzflächenprozessen bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie von III-V-Halbleitern
In-situ Rastertunnelmikroskopie an III-V-Halbleiternanostrukturen während der Metallorganischen Gasphasenepitaxie
Wachstum von Nanodrähten mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie
In-situ-Untersuchungen zur Festkörperbildung
Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente
Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III/V-Halbleitern
Photoakustische "In-situ"-Untersuchungen an Elektrodenoberflächen
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
Reaktor- und Prozeßoptimierung bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie von III-V-Verbindungshalbleitern
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
ESR-spektroskopische In-situ-Untersuchungen in der Elektrochemie
Polare Stratosphärenwolken : In-situ-Untersuchungen mit einem Aerosolmassenspektrometer
Untersuchung von Grenzflächenprozessen bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie von III-V-Halbleitern
In-situ Rastertunnelmikroskopie an III-V-Halbleiternanostrukturen während der Metallorganischen Gasphasenepitaxie
Wachstum von Nanodrähten mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie
In-situ-Untersuchungen zur Festkörperbildung
Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente
Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III/V-Halbleitern
Photoakustische "In-situ"-Untersuchungen an Elektrodenoberflächen
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
Reaktor- und Prozeßoptimierung bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie von III-V-Verbindungshalbleitern
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
ESR-spektroskopische In-situ-Untersuchungen in der Elektrochemie
Polare Stratosphärenwolken : In-situ-Untersuchungen mit einem Aerosolmassenspektrometer
Untersuchung von Grenzflächenprozessen bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie von III-V-Halbleitern
In-situ Rastertunnelmikroskopie an III-V-Halbleiternanostrukturen während der Metallorganischen Gasphasenepitaxie
Wachstum von Nanodrähten mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie
In-situ-Untersuchungen zur Festkörperbildung
Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente
Zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) mittels nicht-gasförmiger Quellen für elektronische Heterostruktur-Bauelemente basierend auf III/V-Halbleitern
Photoakustische "In-situ"-Untersuchungen an Elektrodenoberflächen
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
Reaktor- und Prozeßoptimierung bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie von III-V-Verbindungshalbleitern
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
ESR-spektroskopische In-situ-Untersuchungen in der Elektrochemie