Investigation of GeSn as novel group IV semiconductor for electronic Applications

Alternative title
Untersuchung von GeSn als neuartiger Gruppe IV Halbleiter für elektronische Anwendungen
Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch
Notes
RWTH Aachen University, Dissertation, 2017

Bibliographic citation
Schriften des Forschungszentrums Jülich. Reihe Schlüsseltechnologien / key technologies ; Band/volume 168

Keyword
Tunneling
Field-effect transistors
Tunnel diodes
Alloys
Electromotive force

Event
Veröffentlichung
(where)
Aachen
(who)
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
(when)
2017
Creator
Contributor
Mantl, Siegfried
Wuttig, Matthias

DOI
10.18154/RWTH-2018-223259
URN
urn:nbn:de:101:1-2018110205595588778008
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:49 AM CEST

Data provider

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Time of origin

  • 2017

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