Si/SiGe-based gate-normal tunneling field-effect transistors

Weitere Titel
Si/SiGe-basierte Tunnel-Feldeffekttransistoren mit Tunnelrichtung entlang der Gate-Normalen
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
RWTH Aachen University, Dissertation, 2019

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Tunnel field-effect transistors

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
(wann)
2019
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Mantl, Siegfried
Wuttig, Matthias

DOI
10.18154/RWTH-2019-02684
URN
urn:nbn:de:101:1-2019082206374840980801
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:44 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Glaß, Stefan
  • Mantl, Siegfried
  • Wuttig, Matthias
  • Universitätsbibliothek der RWTH Aachen

Entstanden

  • 2019

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