Investigating the growth of AlGaN/AlN heterostructure by modulating the substrate temperature of AlN buffer layer
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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2523-3971
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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online resource.
- Erschienen in
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Investigating the growth of AlGaN/AlN heterostructure by modulating the substrate temperature of AlN buffer layer ; volume:3 ; number:3 ; day:8 ; month:2 ; year:2021 ; pages:1-10 ; date:3.2021
SN applied sciences ; 3, Heft 3 (8.2.2021), 1-10, 3.2021
- Urheber
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Aggarwal, Neha
Krishna, Shibin
Goswami, Lalit
Jain, Shubhendra Kumar
Pandey, Akhilesh
Gundimeda, Abhiram
Vashishtha, Pargam
Singh, Jasveer
Singh, Sandeep
Gupta, Govind
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1007/s42452-021-04274-4
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2021030322455767037903
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:21 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Aggarwal, Neha
- Krishna, Shibin
- Goswami, Lalit
- Jain, Shubhendra Kumar
- Pandey, Akhilesh
- Gundimeda, Abhiram
- Vashishtha, Pargam
- Singh, Jasveer
- Singh, Sandeep
- Gupta, Govind
- SpringerLink (Online service)