Hochschulschrift
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
- Weitere Titel
-
Defect reduced AlN and AlGaN as basic layers for UV LEDs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Berlin, Technische Universität Berlin, Diss., 2014
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Lumineszenzdiode
Ultraviolett
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
MOCVD-Verfahren
Epitaxieschicht
Versetzung
Versetzung
Dotierung
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Berlin
- (wer)
-
Technische Universität Berlin
- (wann)
-
2014
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Weyers, Markus
Kneissl, Michael
Hommel, Detlef
- URN
-
urn:nbn:de:kobv:83-opus4-50111
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:56 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Küller, Viola
- Weyers, Markus
- Kneissl, Michael
- Hommel, Detlef
- Technische Universität Berlin
Entstanden
- 2014
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