Ladungsträgertransport und Ladungsträgerrekombination in AlGaN-basierten DUV-LEDs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Berlin, Technische Universität Berlin, Dissertation, 2024
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Lumineszenzdiode
Heterostruktur
Elektronischer Transport
Galliumnitrid
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Berlin
- (wer)
-
Technische Universität Berlin
- (wann)
-
2024
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Kneissl, Michael
Kneissl, Michael
Hoffmann, Axel
Schwarz, Ulrich Theodor
- DOI
-
10.14279/depositonce-20073
- Handle
-
11303/21273
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2405010202019.933838700609
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:51 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Muhin, Anton
- Kneissl, Michael
- Hoffmann, Axel
- Schwarz, Ulrich Theodor
- Technische Universität Berlin
Entstanden
- 2024
Ähnliche Objekte (12)
Plasmaunterstütztes CVD Wachstum von Graphen als transparente Elektrode für GaN-basierte LEDs
Elektrische Spininjektion in GaAs-LEDs
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
Epitaktische Ablöseverfahren für InGaAlP Dünnfilm-LEDs zur Wiedergewinnung von GaAs-Substraten
InGaN/GaN Nanorod LEDs with Novel Transparent Contacts
Analysis of Loss Processes in GaN-based LEDs
AlN base layers for UV LEDs
AlN base layers for UV LEDs
Epitaxial growth and properties of AlGaN-based UV-LEDs on Si(111) substrates
Hochleistungs-LEDs in der Praxis : [Grundlagen, Ansteuerung, allgemeine Beleuchtung mit LEDs, LEDs im Automobil]
AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Plasmaunterstütztes CVD Wachstum von Graphen als transparente Elektrode für GaN-basierte LEDs
Elektrische Spininjektion in GaAs-LEDs
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
Epitaktische Ablöseverfahren für InGaAlP Dünnfilm-LEDs zur Wiedergewinnung von GaAs-Substraten
InGaN/GaN Nanorod LEDs with Novel Transparent Contacts
Analysis of Loss Processes in GaN-based LEDs
AlN base layers for UV LEDs
AlN base layers for UV LEDs
Epitaxial growth and properties of AlGaN-based UV-LEDs on Si(111) substrates
Hochleistungs-LEDs in der Praxis : [Grundlagen, Ansteuerung, allgemeine Beleuchtung mit LEDs, LEDs im Automobil]
AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Plasmaunterstütztes CVD Wachstum von Graphen als transparente Elektrode für GaN-basierte LEDs
Elektrische Spininjektion in GaAs-LEDs
Versetzungsreduzierte AlN- und AlGaN-Schichten als Basis für UV LEDs
Epitaktische Ablöseverfahren für InGaAlP Dünnfilm-LEDs zur Wiedergewinnung von GaAs-Substraten
InGaN/GaN Nanorod LEDs with Novel Transparent Contacts
Analysis of Loss Processes in GaN-based LEDs
AlN base layers for UV LEDs
AlN base layers for UV LEDs
Epitaxial growth and properties of AlGaN-based UV-LEDs on Si(111) substrates
Hochleistungs-LEDs in der Praxis : [Grundlagen, Ansteuerung, allgemeine Beleuchtung mit LEDs, LEDs im Automobil]
AlGaN/GaN-basierte-pH-Sensoren für biochemische Anwendungen