Hochschulschrift
Reliability Investigations of MOSFETs using RF Small Signal Characterization
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Dresden, Technische Universität Dresden, Dissertation, 2023
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
MOS-FET
CMOS
Degradation
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
Technische Universität Dresden
- (wann)
-
2023
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-871411
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:45 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Chohan, Talha
- Mikolajick, Thomas
- Schmitz, Jurriaan
- Technische Universität Dresden
Entstanden
- 2023
Ähnliche Objekte (12)
Reliability investigations of MOSFETs using RF small signal characterization
Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETs
Ultra small SOI DG MOSFETs and RF MEMS applications
Physical investigations of novel materials and structures for nano-MOSFETs
DC and RF characterization of NiSi Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
Reliability of advanced ceramics : macro- and mesoscale investigations
Frequency preference and reliability of signal integration
Transporteigenschaften in Si1-χ Geχ-p-MOSFETs [Si1-chi Ge-chi-p-MOSFETs]
Eindimensionale Modellierung von SOI-MOSFETs
Modellierung des ladungskompensierten Leistungs-MOSFETs
Eindimensionale Modellierung von SOI-MOSFETs
Kompensationsstrukturen für laterale Leistungs-MOSFETs
Reliability investigations of MOSFETs using RF small signal characterization
Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETs
Ultra small SOI DG MOSFETs and RF MEMS applications
Physical investigations of novel materials and structures for nano-MOSFETs
DC and RF characterization of NiSi Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
Reliability of advanced ceramics : macro- and mesoscale investigations
Frequency preference and reliability of signal integration
Transporteigenschaften in Si1-χ Geχ-p-MOSFETs [Si1-chi Ge-chi-p-MOSFETs]
Eindimensionale Modellierung von SOI-MOSFETs
Modellierung des ladungskompensierten Leistungs-MOSFETs
Eindimensionale Modellierung von SOI-MOSFETs
Kompensationsstrukturen für laterale Leistungs-MOSFETs
Reliability investigations of MOSFETs using RF small signal characterization
Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETs
Ultra small SOI DG MOSFETs and RF MEMS applications
Physical investigations of novel materials and structures for nano-MOSFETs
DC and RF characterization of NiSi Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
Reliability of advanced ceramics : macro- and mesoscale investigations
Frequency preference and reliability of signal integration
Transporteigenschaften in Si1-χ Geχ-p-MOSFETs [Si1-chi Ge-chi-p-MOSFETs]
Eindimensionale Modellierung von SOI-MOSFETs
Modellierung des ladungskompensierten Leistungs-MOSFETs
Eindimensionale Modellierung von SOI-MOSFETs