Normally-off operating GaN-based pseudovertical MOSFETs with MBE grown source region
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Erschienen in
-
In: Journal of Vacuum Science & Technology (JVST) : an AVS journal#B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena, Erscheinungsjahr: 2018, Jahrgang: 36, Heft: 2, Seiten: 02D109-1-02D109-5, E-ISSN: 2166-2746
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
Technische Universität Dresden
- (wann)
-
2022
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-810886
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Hentschel, Rico
- Schmult, Stefan
- Wachowiak, Andre
- Großer, Andreas
- Gärtner, Jan
- Mikolajick, Thomas
- Technische Universität Dresden
Entstanden
- 2022
Ähnliche Objekte (12)
Reliability Investigations of MOSFETs using RF Small Signal Characterization
Feldeffektsensoren zur pH-Wert-Messung und als Transducer für Biosensoren
Verborgene Energielandschaften : Negative Kapazität in ferroelektrischen Schichten
Wake‐Up Mechanisms in Ferroelectric Lanthanum‐Doped Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Thin Films
Assessment of Back‐End‐of‐Line Compatibility of Sputtered HfO 2 ‐Based Ferroelectrics
Nanoscale resistive switching memory devices: a review
Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETs
Insights into the Temperature‐Dependent Switching Behavior of Three‐Gated Reconfigurable Field‐Effect Transistors
Modulation of Oxygen Content and Ferroelectricity in Sputtered Hafnia‐Zirconia by Engineering of Tungsten Oxide Bottom Electrodes
Stabilisierung der ferroelektrischen Phase in Hafniumdioxid
Top-down fabrication of reconfigurable nanowire-electronics
From Ferroelectric Material Optimization to Neuromorphic Devices
Reliability Investigations of MOSFETs using RF Small Signal Characterization
Feldeffektsensoren zur pH-Wert-Messung und als Transducer für Biosensoren
Verborgene Energielandschaften : Negative Kapazität in ferroelektrischen Schichten
Wake‐Up Mechanisms in Ferroelectric Lanthanum‐Doped Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Thin Films
Assessment of Back‐End‐of‐Line Compatibility of Sputtered HfO 2 ‐Based Ferroelectrics
Nanoscale resistive switching memory devices: a review
Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETs
Insights into the Temperature‐Dependent Switching Behavior of Three‐Gated Reconfigurable Field‐Effect Transistors
Modulation of Oxygen Content and Ferroelectricity in Sputtered Hafnia‐Zirconia by Engineering of Tungsten Oxide Bottom Electrodes
Stabilisierung der ferroelektrischen Phase in Hafniumdioxid
Top-down fabrication of reconfigurable nanowire-electronics
From Ferroelectric Material Optimization to Neuromorphic Devices
Reliability Investigations of MOSFETs using RF Small Signal Characterization
Feldeffektsensoren zur pH-Wert-Messung und als Transducer für Biosensoren
Verborgene Energielandschaften : Negative Kapazität in ferroelektrischen Schichten
Wake‐Up Mechanisms in Ferroelectric Lanthanum‐Doped Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Thin Films
Assessment of Back‐End‐of‐Line Compatibility of Sputtered HfO 2 ‐Based Ferroelectrics
Nanoscale resistive switching memory devices: a review
Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETs
Insights into the Temperature‐Dependent Switching Behavior of Three‐Gated Reconfigurable Field‐Effect Transistors
Modulation of Oxygen Content and Ferroelectricity in Sputtered Hafnia‐Zirconia by Engineering of Tungsten Oxide Bottom Electrodes
Stabilisierung der ferroelektrischen Phase in Hafniumdioxid
Top-down fabrication of reconfigurable nanowire-electronics