Hochschulschrift
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Freiberg, TU Bergakademie Freiberg, Dissertation, 2020
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
HEMT
Elektrischer Kontakt
Halbleiter
Drain
Ohm-Kontakt
Dielektrikum
HEMT
Galliumnitrid
Ohm-Kontakt
Vanadium
HEMT
Galliumnitrid
Ohm-Kontakt
Vanadium
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Freiberg
- (wer)
-
Technische Universität Bergakademie Freiberg
- (wann)
-
2020
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-714584
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:25 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schmid, Alexander
- Heitmann, Johannes
- Mikolajick, Thomas
- Technische Universität Bergakademie Freiberg
- Technische Universität Bergakademie Freiberg
Entstanden
- 2020
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