Hochschulschrift
Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nicht legierte Ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
127 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1983
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Galliumaluminiumarsenid
Dotierung
Galliumarsenid
Dotierung
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:48 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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