Hochschulschrift | Online-Publikation

Micro-Raman investigation of mechanical stress in Si device structures and phonons in SiGe

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Cottbus, Brandenburgische Techn. Univ, Diss., 2000

Schlagwort
Siliciumbauelement
Mechanische Spannung
Raman-Spektroskopie
Silicium
Germanium
Mischkristall
Phonon
Raman-Spektroskopie

Urheber

URN
urn:nbn:de:kobv:co1-000000031
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:46 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift
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