Hochschulschrift | Online-Publikation
Micro-Raman investigation of mechanical stress in Si device structures and phonons in SiGe
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Cottbus, Brandenburgische Techn. Univ, Diss., 2000
- Schlagwort
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Siliciumbauelement
Mechanische Spannung
Raman-Spektroskopie
Silicium
Germanium
Mischkristall
Phonon
Raman-Spektroskopie
- Urheber
- URN
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urn:nbn:de:kobv:co1-000000031
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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25.03.2025, 13:46 MEZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation