Archivale
A 4 - Abschlussbericht: "Epitaxie- und Substratmaterial"
Enthält u. a.: A III B V - Einkristallzüchtung. - Mechanische Kristallbearbeitung. - GaP (Galliumphosphid)-Epitaxie und Materialerprobung. - Si:B (Sizilium:Bor)-Epitaxie für pnp-Transistoren. - A III B V - Materialcharakterisierung. - Tabellen. - Diagramme.
- Archivaliensignatur
-
504 Mikroel Stdf 99
- Kontext
-
Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf >> Materialforschung
- Bestand
-
504 Mikroel Stdf (82315) Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf
- Laufzeit
-
1978
- Weitere Objektseiten
- Letzte Aktualisierung
-
07.04.2025, 11:35 MESZ
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Objekttyp
- Archivale
Entstanden
- 1978
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