Akten
Projekt "Molekularstrahl-Epitaxie"
Enthält u.a.: Bundeszuschüsse.- Projektbeschreibung.- Finanzierungsplan.- Verwendungsnachweise.- Zwischenberichte.
Enthält auch: Aufbau eines "Höchstspannungs-Elektronenmikroskops im MPI für Metallforschung.
- Reference number
-
II. Abt., Rep. 66, Nr. 1214
- Former reference number
-
II/1A IB Festkörper 4.5
- Context
-
Generalverwaltung: Institutsbetreuung >> II. Angelegenheiten der Max-Planck-Institute und Forschungsstellen/Projektgruppen >> F-M >> MPI für Festkörperforschung >> Finanzierung >> Förderung von Forschungsvorhaben
- Holding
-
II. Abt., Rep. 66 Generalverwaltung: Institutsbetreuung
- Date of creation
-
1973-1980
- Other object pages
- Last update
-
25.03.2025, 1:14 PM CET
Data provider
This object is provided by:
Archiv der Max-Planck-Gesellschaft. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Archiv der Max-Planck-Gesellschaft. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Sachakte
Time of origin
- 1973-1980
Other Objects (12)
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Epitaxie hochreiner Diamantschichten
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Aufgabenkomplex "Planar-Epitaxie-Technik"
Selektive Epitaxie für Quantenbauelemente
Gasphasen-Epitaxie von Siliziumkarbid
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Epitaxie von (Ga,Mn)As
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Epitaxie hochreiner Diamantschichten
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Aufgabenkomplex "Planar-Epitaxie-Technik"
Selektive Epitaxie für Quantenbauelemente
Gasphasen-Epitaxie von Siliziumkarbid
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Epitaxie von (Ga,Mn)As
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Epitaxie hochreiner Diamantschichten
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Aufgabenkomplex "Planar-Epitaxie-Technik"
Selektive Epitaxie für Quantenbauelemente
Gasphasen-Epitaxie von Siliziumkarbid
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"