Hochschulschrift
3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis : Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters
- Weitere Titel
-
Drei-C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Paderborn, Univ., Diss., 2007
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:466-2007082416
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:41 MEZ
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Objekttyp
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