Hochschulschrift
DLTS-Untersuchung an tiefen Störstellen zur Einstellung der Trägerlebensdauer in Si-Leistungshalbleiterbauelementen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
III, 172 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Berlin, Techn. Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
-
Leistungshalbleiter
Siliciumbauelement
DLTS
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:30 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Kapazitätstransienten-Untersuchungen an tiefen Störstellen in Silizium
Untersuchung von Rekombinationsprozessen und "tiefen" Störstellen in Silizium
Hochauflösende Laserspektroskopie an tiefen Störstellen in Galliumarsenid und Siliziumkarbid
Über Entstehung und Wirkung von Störstellen mit tiefen Energieniveaus im Silicium
Untersuchung der tiefen Störstelle Vanadium in semi-isolierendem 4H- und 6H-SiC mittels des Spektralen Lochbrennens
Untersuchung tiefer Störstellen in Zinkselenid
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
In einem tiefen, tiefen tiefen Tale
Einfluss einer Phononenfrequenzänderung auf strahlungslose und optische Multiphononen-Prozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern
Im tiefen, tiefen Wald
Theorie strahlungsloser Multiphononen-Trägereinfangprozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern auf der Grundlage des statischen Kopplungsschemas
Kapazitätsspektroskopische Analyse tiefer Störstellen in ionenbestrahltem Silizium
Kapazitätstransienten-Untersuchungen an tiefen Störstellen in Silizium
Untersuchung von Rekombinationsprozessen und "tiefen" Störstellen in Silizium
Hochauflösende Laserspektroskopie an tiefen Störstellen in Galliumarsenid und Siliziumkarbid
Über Entstehung und Wirkung von Störstellen mit tiefen Energieniveaus im Silicium
Untersuchung der tiefen Störstelle Vanadium in semi-isolierendem 4H- und 6H-SiC mittels des Spektralen Lochbrennens
Untersuchung tiefer Störstellen in Zinkselenid
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
In einem tiefen, tiefen tiefen Tale
Einfluss einer Phononenfrequenzänderung auf strahlungslose und optische Multiphononen-Prozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern
Im tiefen, tiefen Wald
Theorie strahlungsloser Multiphononen-Trägereinfangprozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern auf der Grundlage des statischen Kopplungsschemas
Kapazitätsspektroskopische Analyse tiefer Störstellen in ionenbestrahltem Silizium
Kapazitätstransienten-Untersuchungen an tiefen Störstellen in Silizium
Untersuchung von Rekombinationsprozessen und "tiefen" Störstellen in Silizium
Hochauflösende Laserspektroskopie an tiefen Störstellen in Galliumarsenid und Siliziumkarbid
Über Entstehung und Wirkung von Störstellen mit tiefen Energieniveaus im Silicium
Untersuchung der tiefen Störstelle Vanadium in semi-isolierendem 4H- und 6H-SiC mittels des Spektralen Lochbrennens
Untersuchung tiefer Störstellen in Zinkselenid
Elektrische Charakterisierung von flachen und tiefen Störstellen in 4H-, 6H- und 15R-Siliziumkarbid
In einem tiefen, tiefen tiefen Tale
Einfluss einer Phononenfrequenzänderung auf strahlungslose und optische Multiphononen-Prozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern
Im tiefen, tiefen Wald
Theorie strahlungsloser Multiphononen-Trägereinfangprozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern auf der Grundlage des statischen Kopplungsschemas