Hochschulschrift
Theorie strahlungsloser Multiphononen-Trägereinfangprozesse an tiefen Störstellen in Halbleitern auf der Grundlage des statischen Kopplungsschemas
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
189, 13 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Karl-Marx-Stadt, Techn. Hochsch., Fak. für Mathematik u. Naturwiss., Diss. B, 1979 (Nicht f.d. Austausch.)
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:34 MEZ
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Objekttyp
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