Hochschulschrift
Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium: eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783181464090
3181464090
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
152 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
79 Ill. u. graph. Darst.
Als Ms. gedr.
Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1986
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 64, Reihe 9
- Schlagwort
-
Silicium
Einkristall
Ionenimplantation
Stickstoff
CMOS
SOI-Technik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Düsseldorf
- (wer)
-
VDI-Verlag
- (wann)
-
1986
- Urheber
-
Vogt, Holger
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:58 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Vogt, Holger
- VDI-Verlag
Entstanden
- 1986
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