Hochschulschrift
Epitaktische Ablöseverfahren für InGaAlP Dünnfilm-LEDs zur Wiedergewinnung von GaAs-Substraten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
153 Seiten
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Brandenburgische Technische Universität Cottbus-Senftenberg, Dissertation, 2018
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Substrat
Halbleiter
Ätzen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 12:14 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Entstanden
- [2018]
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