Hochschulschrift
Entwicklung von siliziumbasierten Transistoren für den Einsatz bei hohen Temperaturen in der Gassensorik
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783954040322
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IX, 224 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2012
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
MOS-FET
FG-FET
Siliciumbauelement
SOI-Technik
Lateraltransistor
Vertikaler Transistor
Temperaturbeständigkeit
Hochtemperatur
Gassensor
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:01 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Iskra, Peter
- Cuvillier
Entstanden
- 2012
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