Hochschulschrift
Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronen-Transistoren aus Halbleiter-Heterostrukturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783897128200
3897128209
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
V, 109 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1999
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Aluminiumarsenid
Heterostruktur
Einelektronen-Tunneleffekt
Transistor
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:00 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Campenhausen, Aurel v.
- Cuvillier
Entstanden
- 2000
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