Hochschulschrift
Entwicklung von siliziumbasierten Transistoren für den Einsatz bei hohen Temperaturen in der Gassensorik
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783954040322
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
IX, 224 S.
- Edition
-
1. Aufl.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2012
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
MOS-FET
FG-FET
Siliciumbauelement
SOI-Technik
Lateraltransistor
Vertikaler Transistor
Temperaturbeständigkeit
Hochtemperatur
Gassensor
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
- 11.06.2025, 2:01 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Iskra, Peter
- Cuvillier
Time of origin
- 2012
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