Hochschulschrift
Ein analytisches Modell zur Simulation von Silizium-Germanium Heterojunction-Bipolartransistoren in integrierten Schaltungen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Bochum, Univ., Diss., 2001
- Keyword
-
Silicium
Germanium
Heterobipolartransistor
Mixed-level-Simulation
Parameteridentifikation
Hochstrom
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:hbz:294-6355
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
15.08.2025, 7:37 AM CEST
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Object type
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